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隨著制程工藝的不斷進步，DRAM內存芯片也遇到了與CPU/GPU相似的微縮難題。解決這個問題的方法是使用EUV光刻機，但由于設備成本過高，目前還在盡可能利用DUV工藝。據(jù)悉，DDR5內存有望實現(xiàn)單條1TB的容量。 美光公司，作為首家推出24Gb核心DDR5內存的企業(yè)，近日再創(chuàng)新紀錄，推出了32Gb核心的DDR5內存顆粒。這種內存顆粒采用的是比1α工藝更先進的1β工藝，這也是美光最后的非EUV工藝。未來，如果不采用EUV工藝，美光將無法繼續(xù)微縮。 雖然美光并未透露32Gb核心內存顆粒的具體速度，但其最大優(yōu)勢在于可以堆棧出單條1TB的內存條，只需32個8-Hi堆棧即可，而現(xiàn)有的24Gb核心無法實現(xiàn)這樣的大容量。 然而，美光實際上并不打算推出如此大容量的內存條。明年開始量產32Gb核心后，首先會推出單條128GB、192GB和256GB的內存條，而512GB和1TB的內存條并未列入路線圖，預計在2026年之前都不會推出。 此外，美光最近推出了HBM3 Gen2，容量達到了24GB，帶寬為1.2TB/s。未來還將推出36GB的版本，2026年之后將推出下一代HBM，容量將達到36GB至64GB，帶寬將達到1.5TB/s至2TB/s。在顯存GDDR路線上，預計2025年將推出GDDR7，頻率為32Gbps，核心容量為16-24Gb，帶寬將超過128GB/s。
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